Intel Foundry revela avances en escalabilidad de interconexiones para nodos futuros
En IEDM 2024, el equipo de investigación tecnológica de Intel Foundry demostró avances pioneros en la industria en tecnologías de transistores y empaquetado que ayudan a satisfacer las demandas futuras de IA. Novedades: Hoy, en la reunión internacional de dispositivos electrónicos IEEE (IEDM) 2024, Intel Foundry presentó nuevos avances que ayudarán a impulsar la industria de semiconductores hacia la próxima década y más allá. Intel Foundry mostró nuevos avances en materiales que ayudan a mejorar las interconexiones dentro de un chip, lo que da como resultado una capacitancia de hasta el 25 % 1 mediante el uso de rutenio sustractivo. Intel Foundry también fue el primero en informar una mejora de rendimiento de 100x 2 utilizando una solución de integración heterogénea para empaquetado avanzado que permite un ensamblaje de chip a chip ultrarrápido. Y para impulsar aún más el escalamiento de gate-all-around (GAA), Intel Foundry demostró su trabajo con CMOS RibbonFET de silicio y con módulo de óxido de compuerta para FET 2D escalados para un mejor rendimiento del dispositivo. “Intel Foundry continúa ayudando a definir y dar forma a la hoja de ruta de la industria de semiconductores. Nuestros últimos avances subrayan el compromiso de la empresa de ofrecer tecnología de vanguardia desarrollada en los EE. UU., lo que nos posiciona bien para ayudar a equilibrar la cadena de suministro global y restablecer el liderazgo tecnológico y de fabricación nacional con el apoyo de la Ley CHIPS de EE. UU.”.–Sanjay Natarajan, vicepresidente sénior de Intel y director general de Intel Foundry Technology Research Por qué es importante: A medida que la industria se encamina hacia la implementación de 1 billón de transistores en un chip para 2030, los avances en el escalamiento de transistores e interconexiones (multiplicados por las futuras capacidades de empaquetado avanzado) son fundamentales para satisfacer el apetito infinito de aplicaciones informáticas más rentables, de alto rendimiento y energéticamente eficientes, como la IA. La industria también requerirá apoyo adicional en forma de nuevos materiales para aumentar la entrega de energía posterior PowerVia de Intel Foundry para aliviar la superposición de interconexiones y para un escalamiento continuo, lo cual es vital para la continuación de la Ley de Moore e impulsar el semiconductor hacia nuevas eras para la IA. Cómo lo estamos haciendo: Intel Foundry ha identificado varios caminos que resuelven las limitaciones anticipadas de los transistores de cobre en el escalamiento de interconexión para futuros nodos, mejoran las técnicas de ensamblaje existentes y continúan definiendo y dando forma a la hoja de ruta de los transistores para el escalamiento de compuertas completas y más allá: Además, Intel Foundry siguió avanzando en la investigación con la primera tecnología de nitruro de galio (GaN) de 300 milímetros (mm) de la industria, una tecnología emergente para la electrónica de potencia y radiofrecuencia (RF) que puede ofrecer un mayor rendimiento y soportar voltajes y temperaturas más altos que el silicio. Se trata de los primeros MOSHEMT de GaN (transistores de alta movilidad de electrones de semiconductores de óxido metálico) en modo de mejora a escala de alto rendimiento de la industria, fabricados sobre un sustrato de GaN sobre TRSOI (silicio sobre aislante rico en trampas) de 300 mm. Los sustratos de ingeniería avanzada como GaN sobre TRSOI pueden lograr un mejor rendimiento en aplicaciones como RF y electrónica de potencia al reducir la pérdida de señal y lograr una mejor linealidad de la señal, lo que permite esquemas de integración avanzados que pueden realizarse mediante el procesamiento del sustrato posterior. Más información sobre IEDM 2024: En la conferencia, Intel Foundry también presentó su visión sobre el futuro del encapsulado avanzado y el escalado de transistores para satisfacer las demandas de todas las aplicaciones, incluida la IA. Se identificaron tres ejes clave para la innovación que ayudarán a impulsar la próxima década hacia una IA más eficiente en el uso de la energía. Intel Foundry también hizo un llamado a la acción para desarrollar innovaciones críticas y revolucionarias para el continuo escalamiento de los transistores en la era de los billones de transistores. Intel Foundry explicó cómo el desarrollo de un transistor capaz de operar a voltajes ultrabajos (menos de 300 milivoltios) ayudará a abordar los crecientes cuellos de botella térmicos y dará como resultado mejoras espectaculares en el consumo de energía y la disipación térmica. Para obtener más información sobre los documentos técnicos de Intel Foundry presentados en el IEDM de este año, visite el sitio web del IEDM . La letra pequeña: 1 Documento técnico: Interconexiones sustractivas de rutenio con entrehierro (Autores: Ananya Dutta; Askhit Peer; Christopher Jezewski) 2 Documento técnico: Transferencia selectiva de capas: la primera tecnología de integración heterogénea de la industria que permite un ensamblaje ultrarrápido y un espesor de chiplet inferior a 1 um para aplicaciones informáticas e inteligencia artificial de próxima generación (Autores: Adel Elsherbini; Tushar Talukdar; Thomas Sounart) 3 Documento técnico: Interconexiones sustractivas de rutenio con entrehierro (Autores: Ananya Dutta; Askhit Peer; Christopher Jezewski) Todos los planes y hojas de ruta de productos y servicios están sujetos a cambios sin previo aviso. Los pronósticos de bienes y servicios necesarios para las operaciones de Intel se proporcionan solo con fines de discusión. Intel no tendrá ninguna responsabilidad de realizar ninguna compra en relación con los pronósticos publicados en este documento. Intel suele utilizar nombres de código para identificar productos, tecnologías o servicios que se encuentran en desarrollo y cuyo uso puede cambiar con el tiempo. Este documento no otorga ninguna licencia (expresa o implícita, por preclusión o de otro modo) sobre ningún derecho de propiedad intelectual. El rendimiento de los productos y la tecnología varía según el uso, la configuración y otros factores. Obtenga más información en www.Intel.com/PerformanceIndex y www.Intel.com/ProcessInnovation . Las referencias a los resultados de las investigaciones, incluidas las comparaciones con tecnologías, productos, procesos o rendimiento de los paquetes, son estimaciones y no implican disponibilidad. Las fechas de lanzamiento y/o las capacidades a las que se hace referencia pueden variar según el uso, la configuración y otros factores. Los productos y servicios descritos pueden contener defectos o errores que pueden provocar desviaciones de las especificaciones publicadas. Las erratas caracterizadas