Se trata del producto HBM de mayor capacidad del mercado, con 36 GB. El ancho de banda es de hasta 1280 GB/s.
El gigante tecnológico surcoreano Samsung Electronics ha desarrollado la primera HBM3E 12H DRAM (HBM3E 12H), cuya producción a gran escala está prevista para esta primera mitad del año.
El HBM3E 12H es el producto de mayor capacidad de HBM, con 36 GB y podrá ofrecer hasta 1280 GB/s de ancho de banda. Ambas cifras representan una mejora de más del 50 % con respecto al producto HBM3 8H de 8 pilas.
La densidad vertical también mejora, en este caso en más de un 20%. En este sentido, Samsung ha utilizado la tecnología TC NCF que también requiere una mejora en cuanto a propiedades térmicas.
HBM3E 12H se centrará en sistemas que requieren más memoria, en un contexto marcado por el auge de las aplicaciones de inteligencia artificial. La velocidad media de entrenamiento se puede aumentar en un 34% y el número de usuarios simultáneos de servicios de inferencia hasta en 11,5 veces.
«Los proveedores de servicios de IA de la industria necesitan cada vez más HBM con mayor capacidad», comenta Yongcheol Bae, vicepresidente ejecutivo de planificación de productos de memoria de Samsung Electronics, y «nuestro nuevo producto HBM3E 12H está diseñado para abordar estas necesidades». Fuente NetMedia Italia, traducido al español.
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